OSM002是一款应用于锂电池二次保护的双N沟道 MOSFET，采用Trench工艺实现。
OSM002 在栅源电压4.5V时可实现2.2mΩ的源-源导通阻抗，极大的解决了手机快充电池的充放电问题。
OSM002 源-源端的关断BV电压可实现最大±18V 的典型耐压要求，增强了电池保护系统的可靠性。
OSM002 采用3.5mmx2.5mm的 PLP封装，端口采用宽体 PAD，提高了MOS 的焊接，并增强了MOS 散热特性.
OSM002 在栅源电压4.5V时可实现2.2mΩ的源-源导通阻抗，极大的解决了手机快充电池的充放电问题。
OSM002 源-源端的关断BV电压可实现最大±18V 的典型耐压要求，增强了电池保护系统的可靠性。
OSM002 采用3.5mmx2.5mm的 PLP封装，端口采用宽体 PAD，提高了MOS 的焊接，并增强了MOS 散热特性.
